توشیبا اولین حافظه 96 لایه BiCS FLASH را تولید کرد
کمپانی ژاپنی توشیبا اعلام کرد که اولین نمونه از حافظههای ۹۶ لایه موسوم به BiCS FLASH را توسعه داده است. این حافظههای سهبعدی به طور انحصاری و با استفاده از فناوری QLC (چهار بیت به ازای هر سلول) میتوانند ظرفیت حافظههای تک تراشهای را به بالاترین مقدار خود تا این زمان برسانند.
Toshiba Memory برای سنجش عملکرد این حافظهها از اوایل ماه سپتامبر (شهریورماه سال جاری) شروع به ارسال نمونههایی برای تولیدکنندگان حافظههای SSD و تولیدکنندگان کنترلر SSD خواهد کرد. انتظار میرود که تولید انبوه این حافظهها در سال ۲۰۱۹ میلادی آغاز شود. این کمپانی در آیندهای نزدیک از فناوری ۹۶ لایهی جدید خود در محصولات پرظرفیتتری از جمله تراشههای ۵۱۲ گیگابیتی (۶۴ گیگابایتی) و فناوری QLC استفاده خواهد کرد. مزیت اصلی فناوری QLC، افزایش تعداد بیت مورد نیاز برای دادهها از ۳ بیت به ۴ بیت به ازای هر سلول است. به این ترتیب ظرفیت حافظه به طرز قابل توجهی افزایش مییابد.
محصولات جدید، قابلیت دستیابی به بیشینهی ظرفیت اسمی کارخانه تا ۱.۳۳ ترابیت به ازای هر تک تراشه را دارا هستند. این فناوری با همکاری نزدیک کمپانی Western Digital به بهرهبرداری رسیده است. به این ترتیب استفاده از ظرفیت شگفتانگیز ۲.۶۶ ترابایتی به وسیلهی معماری پشته ۱۶ تراشهای در یک پکیج، به تحقق خواهد رسید.
با گسترش شبکههای اجتماعی و پیشرفت اینترنت اشیاء، حجم دادههای تولید شده توسط گجتهای همراه و مانند آن، در حال افزایش است. انتظار میرود نیاز به تجزیه و تحلیل و به کارگیری دادهها در لحظه به طرز چشمگیری افزایش یابد. این حجم داده، به حافظهای سریعتر از HDD و ظرفیت ذخیرهسازی بیشتری نیاز خواهد داشت. استفاده از محصولات QLC با استفاده از فناوری حافظهی ۹۶ لایه، راه حل خوبی خواهد بود. نمونه اولیه از محصولی جدید در نمایشگاه 2018 Flash Memory Summit در شهر سانتا کلارا در ایالت کالیفرنیا که از ۶ تا ۹ آگوست (۱۵ تا ۱۸ مرداد) برگزار خواهد شد، به نمایش درخواهد آمد.
Toshiba Memory در آینده به بهبود ظرفیت و عملکرد حافظه و توسعهی حافظههای فلش سهبعدی که نیازهای متنوع بازار از جمله بازار در حال گسترش پایگاههای داده را مرتفع میکند، ادامه خواهد داد.