// یکشنبه, ۱۶ اردیبهشت ۹۷ ساعت ۱۲:۲۹

به نظر می‌رسد دو شرکت Cadence و Micron در حال کار روی نسل بعدی حافظه‌های رم‌ DDR5 هستند.

استاندارد حافظه‌های DDR5 هنوز توسط JEDEC نهایی نشده است اما به نظر می‌رسد که دو شرکت Cadence و Micron نسخه‌های آزمایشی و اولیه IPهای خود را که احتمالا سیلیکون نسخه‌ی اولیه رم‌های DDR5 است، در دست توسعه دارند.

تراشه‌های آزمایشی شرکت Cadence در معماری ۷ نانومتری TSMC ساخته شده‌اند و توانسته‌اند به سرعت ۴۴۰۰ مگاترانسفر در ثانیه (MT/sec) برسند که این میزان حدود ۳۷.۵ درصد سریع‌تر از تمامی حافظه‌های تجاری موجود در بازار با سرعت ۳۲۰۰ است.

DDR5

انتظار می‌رود که استاندارد DDR5 در اواسط تابستان امسال توسط JEDEC مراحل توسعه‌ی خود را به پایان برساند. البته می‌توان انتظار داشت که استاندارد‌های این شرکت کمی پس از تولید اولین سیلیکون‌های نسل جدید DDR5 ارائه شوند که جای تعجب ندارد. پارامتر‌های اساسی می‌توانند تا قبل از ارائه‌ی رسمی استاندارد از سوی JEDEC تغییر یابند، در نتیجه شرکت‌های تولید‌ کننده‌ی سیلیکون پیشرو نمی‌توانند صبر کنند و منتظر اعلام این استاندارد‌ها باشند.

حال به‌نظر می‌رسد که تراشه‌های تست Cadence مجهز به نسل بعدی حافظه‌ هایی با رابطه‌ی IP باشند که بر اساس گزارش‌های منتشر شده در فضای مجازی احتمالا همان رم‌های DDR5 خواهند بود و شرکت Micron نیز محصولاتی در دست تولید دارد که احتمالا نسخه‌های اولیه از تراشه‌های DRAM هستند.

طبق گزارش منتشر شده در فضای مجازی به نظر می‌رسد که چیپ‌های آزمایشی ذکر شده هم دارای بخش کنترلر هستند و هم به PHY مجهز شده‌اند.

مارک گرین‌برگ از شرکت Cadance اعلام کرد که:

نسل DDR5 عمدتا به عنوان یک راه‌حل برای میزان ظرفیت عمل خواهند کرد، تا اینکه تحولی در میزان سرعت و عملکرد باشند. حجم Die این تراشه‌ها در حال بزرگ‌تر شدن است در نتیجه سرعت آن‌ها کاهش خواهد یافت که به علت وجود برخی قوانین فیزیکی این اتفاق خواهد افتاد. زمانی که شما شروع به ساخت یک حافظه‌ی ۱۶ گیگابایتی روی یک Die از حافظه کنید، فاصله‌ی بخش‌های مختلف Die با یکدیگر بیشتر می‌شود در نتیجه میزان تایمینگ و تاخیر در این حافظه‌های افزایش خواهد یافت. در اینجا حافظه دیگر نمی‌تواند پا به پای پردازنده عمل کند و هماهنگ شود، بنابراین طراحی به مشکل بر می‌خورد. اما مشکل اینجاست که سرور‌های داده به حافظه‌های بیشتری نیاز دارند. استاندارد‌های DDR5 با هدف ساخت Die با ظرفیت ۱۶ گیگابایت تولید خواهند شد تا بتوان چینش عمودی را ساده‌تر کنند. سرعت هسته در این نسل جدید بدون تغییر خواهد ماند اما سروع ورودی و خروجی با افزایش روبرو خواهد شد.

با در نظر داشتن این موضوع که هنوز استاندارد‌های این نسل اعلام نشده است، می‌توان حدس زد که حافظه‌های DDR5 مشخص ذیل را خواهند داشت:

  • ولتاژ تغذیه از ۱.۲ ولت در نسل DDR4 به ۱.۱ ولت در نسل DDR5 کاهش می‌یابد
  • نرخ انتقال داده‌های از ۴.۴ گیگابیت در ثانیه به ۶.۴ گیگابیت خواهد رسید
  • Dieها در این نسل نه تنها برای باس‌های داده‌های مورد استفاده قرار خواهند گرفت، بلکه برای آدرس‌دهی داده‌ها نیز در دسترس خواهند بود

در انتها می‌توان گفت که نسل DDR4 هنوز به بالاترین سطح و سرعت خود دست نیافته‌اند. امروز به صورت متداول سرعت این نسل ۲۴۰۰ در نظر گرفته شده که احتمالا در آینده‌ی نزدیک به متوسط ۲۶۶۷ افزایش خواهد یافت. این افزایش سرعت احتمالا در سال جاری رخ می‌دهد، در نتیجه‌ هنوز هم چندین سال زمان لازم است که نسل DDR4 بتواند به بالاترین سطح مورد انتظار یعنی ۳۲۰۰ مگاترنسفر در ثانیه دست یابد. برای نسل DDR5 نیز انتظار می‌رود که در زمان شروع با سرعت ۴۴۰۰ تولید شوند چونکه چیپ‌های شرکت Cadence توانسته‌اند به راحتی از این سرعت پشتیبانی کنند. سرعت ۶۴۰۰ نیز احتمالا حداکثر قدرت نمایی این نسل جدید خواهد بود که مشخصا چند سالی طول می‌کشد که به آن دست یابیم.


منبع cdrinfo.com

اسپویل
برای نوشتن متن دارای اسپویل، دکمه را بفشارید و متن مورد نظر را بین (* و *) بنویسید
کاراکتر باقی مانده