سامسونگ تراشه های V-NAND یک ترابایتی را معرفی کرد
تراشه‌های V-NAND سامسونگ که به تازگی معرفی شده‌اند، امکان استفاده به صورت کیت‌های NAND دو ترابایتی را هم دارند.
کمپانی سامسونگ ضمن معرفی تراشه‌های جدید، اعلام کرده است که توانایی ساخت حافظه‌های یک ترابایتی (به صورت چیپ‌های ۱۲۵ گیگابایتی) از نوع V-NAND را به دست آورده است. این تراشه‌ها از سال آینده در دسترس خواهند بود. از این چیپ‌های با ظرفیت بالا می‌توان برای ایجاد یک بسته ۱۶ تایی از مدار مجتمع نیمه‌هادی استفاده کرد که ۲ ترابایت ظرفیت ذخیره‌سازی را ارائه می‌دهد.
این ساختار نسبت به اغلب حافظه‌های پیشرفته‌ی SSD خانگی که تنها از یک بسته تراشه‌ی V-NAND بهره می‌برند، برتری دارد. بنابراین در آینده امکان ذخیره‌سازی داده‌ی بیشتری در فرم‌فاکتوری کوچک‌تر فراهم می‌شود و حتی حافظه‌های SSD با ظرفیت بیشتری برای بازار سیستم‌های سازمانی ساخته خواهد شد. این در حالی است که سامسونگ، آن را یکی از مهم‌ترین پیشرفت‌های حافظه در دهه‌ی اخیر نامیده است.
این کمپانی همچنین اعلام کرد که ساخت نمونه‌ای از جدیدترین حافظه‌های SSD به نام NGSFF را که سرواژه‌ی عبارت Next Generation Small Form Factor است، برای مشتریان تجاری آغاز کرده است. این نوع حافظه، ظرفیتی معادل ۱۶ ترابایت را در فرم‌فاکتور M.2 ارائه می‌دهد. ابعاد این کارت حافظه، ۳۰.۵x۱۱۰x۴.۳۸ میلی‌متر است. حافظه‌ی Samsung NGSFF SSD از نمونه‌های معمول حافظه‌های M.2 موجود در بازار، خصوصا از لحاظ عرض، بسیار بزرگ‌تر است.
سامسونگ ضمن کار روی استانداردسازی این فرم‌فاکتور جدید با همکاری سایر شرکای تولیدکننده، قصد دارد اولین حافظه‌ی NGSFF SSD را در سه‌ماهه‌ی چهارم سال جاری میلادی به تولید انبوه برساند.
